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  • 卢海昌 ( 副教授 ) 赞

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Microstructure Scaling in Metal-Insulator-Transition of Atomic Layer Deposited VO2 Films.
点击次数：
发表刊物：Solid-State Electronics
论文类型：基础研究
一级学科：电子科学与技术
文献类型：期刊
期号：183
页面范围：108046
是否译文：否
CN号：null
发表时间：2021-05-27
收录刊物：SCI
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