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同专业博导
同专业硕导
卢海昌
( 副教授 )
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的个人主页 http://shi.buaa.edu.cn/luhaichang/zh_CN/index.htm
副教授 博士生导师 硕士生导师
主要任职:
副教授
教师英文名称:
Haichang Lu
教师拼音名称:
luhaichang
电子邮箱:
9f71ce4f610a3796bcc7b5d149e891d745692f583d8135424b5ca2096e3b2450605251bc859323be386a395be61844e465615ad950567770b4ccf61132b05da1b6ec4abe127cc236eddbe4df8c681f622d71fb528ede24b73f4ddab50c0a077c22983b5256f5a142bb459d629e065d2a32e7fb9baddffff1e941b577bbd518c5
所在单位:
集成电路科学与工程学院
学历:
博士研究生
办公地点:
第一馆207
性别:
男
学位:
哲学博士学位
在职信息:
在职
毕业院校:
剑桥大学
学科:
电子科学与技术
论文
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中文主页
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论文
[1]
H Lu,Y Guo.Ab-initio study of Hexagonal Boron Nitride as the Tunnel Barrier.[期刊]:ACS Appl. Mater. Interfaces,2021
[2]
H Lu,Y Zhai,R Pan.An effective method of accelerating Bose gases using magnetic coils..[期刊]:Chinese Physics B,2014,23(9):093701
[3]
R Pan,X Yue,X Xu,H Lu.Multiple photon-echo rephasing of coherent matter waves..[期刊]:Phys. Lett. A,2015,379(7):691
[4]
.Band edge States, Intrinsic Defects and Dopants in Monolayer HfS2 and SnS2..[期刊]:Appl. Phys. Lett.,2018,112(6):062105
[5]
.Chemical trends of Schottky barrier behavior on monolayer hexagonal B, Al, and Ga nitrides..[期刊]:J. Appl. Phys.,2016,120(6):065302
[6]
.Charge transfer doping of graphene without degrading carrier mobility..[期刊]:J. Appl. Phys.,2017,121(22):224304
[7]
.Dirac-Point Shift by Carrier Injection Barrier in Graphene Field-Effect Transistor Operation at Room Temperature.:ACS Appl. Mater. Interfaces,2018,10(13):10618
[8]
.nsertion of an ultrathin Al2O3 interfacial layer for Schottky barrier height reduction in WS2 field-effect transistors..[期刊]:Nanoscale,2019,11(11):4811
[9]
.Modelling of Gap State Passivation and Fermi Level De-pinning in Solar Cells..[期刊]:Appl. Phys. Lett.,2019,114(2):222106
[10]
.Density Functional Theory Studies of the Metal-Insulator Transition in Vanadium Dioxide Alloys..[期刊]:Phys. Status Solidi B,2019,256(12):1900210
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