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Band edge States, Intrinsic Defects and Dopants in Monolayer HfS2 and SnS2.
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发表刊物：Appl. Phys. Lett.
论文类型：基础研究
一级学科：物理学
文献类型：期刊
卷号：112
期号：6
页面范围：062105
是否译文：否
CN号：null
发表时间：2018-02-05
收录刊物：SCI
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