扫描手机二维码

欢迎您的访问
您是第 位访客

开通时间：..

最后更新时间：..

登录| English | 手机版
同专业博导 同专业硕导
  • 卢海昌 ( 副教授 ) 赞

    的个人主页 http://shi.buaa.edu.cn/luhaichang/zh_CN/index.htm

  •   副教授   博士生导师   硕士生导师
  • 主要任职：副教授
论文 当前位置： 中文主页 >> 论文
nsertion of an ultrathin Al2O3 interfacial layer for Schottky barrier height reduction in WS2 field-effect transistors.
点击次数：
发表刊物：Nanoscale
论文类型：基础研究
一级学科：材料科学与工程
文献类型：期刊
卷号：11
期号：11
页面范围：4811
是否译文：否
CN号：null
发表时间：2019-02-13
收录刊物：SCI
版权所有 2014-2022 北京航空航天大学  京ICP备05004617-3  文保网安备案号1101080018
地址：北京市海淀区学院路37号  邮编：100191  电话：82317114