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同专业博导
同专业硕导
詹天卓
( 教授 )
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的个人主页 http://shi.buaa.edu.cn/zhantianzhuo/zh_CN/index.htm
教授 博士生导师 硕士生导师
教师拼音名称:
zhantianzhuo
电子邮箱:
76f76f5411f21b294862e2938a5d724f191965f5e3eef8110476b19e7ecb03cae61bf4041fb64a56df0420ef52d37a19d8663e2926a833d7d703e3522a5c8731891f3c2e2e2d8fdecb613b5f8956e08aa1c8c09b209b3a52f57ecff37198a53c4b3cf6adb96020091939ef2e003fdbae988c5250d75b5c1d20663a73f8781fa6
所在单位:
机械工程及自动化学院
学历:
博士研究生
办公地点:
北航沙河校区3号楼428
性别:
男
联系方式:
zhantianzhuo@buaa.edu.cn; zhantianzhuo@126.com
学位:
博士
在职信息:
在职
毕业院校:
日本九州大学
学科:
机械工程
论文
当前位置:
中文主页
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论文
[1]
.Experimental research and optimization of a thermoelectric generator excited by pulsed combustion mode under limited heat dissipation for combined heat and power supply.[期刊]:Applied Energy,2023,349:121668
[2]
.Oxygen vacancies induced band gap narrowing for efficient visible-light response in carbon-doped TiO2:Scientific Reports,2023,13(1):14105
[3]
.High performance flexible thermoelectric generator using bulk legs and integrated electrodes for human energy harvesting.[期刊]:Energy Conversion and Management,2022,272:116337
[4]
.Understanding the role of potassium incorporation in realizing transparent p-type ZnO thin films.[期刊]:Journal of Alloys and Compounds,2022,904:164070
[5]
.Fabrication of high-quality GaAs/diamond heterointerface for thermal management applications.[期刊]:Diamond and Related Materials,2021,111:108207
[6]
.Physical and chemical descriptors for predicting interfacial thermal resistance.[期刊]:Scientific Data,2020,7(1):36
[7]
.Modeling, Simulation, Fabrication, and Characterization of a 10-W/cm2Class Si-Nanowire Thermoelectric Generator for IoT Applications.[期刊]:IEEE Transactions on Electron Devices,2018,65(11):5180-5188
[8]
.Densely interconnected porous BN frameworks for multifunctional and isotropically thermoconductive polymer composites.[期刊]:Advanced Functional Materials,2018,28(29):1801205
[9]
.Modification of thermal conductivity and thermal boundary resistance of amorphous Si thin films by Al doping.[期刊]:RSC Advances,2017,7(13):7901-7905
[10]
.Thermal boundary resistance at Si/Ge interfaces by molecular dynamics simulation.[期刊]:AIP Advances,2015,5(4):047102
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