Skyrmion-Induced Memristive Magnetic Tunnel Junction for Ternary Neural Network
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发表刊物:IEEE Journal of the Electron Devices Society
合写作者:Xueying Zhang,Haotian Wang,Jinyu Bai,Jianlei Yang,Youguang Zhang
第一作者:Biao Pan#,Deming Zhang#
论文类型:基础研究
通讯作者:Wang Kang,Weisheng Zhao
一级学科:电子科学与技术
文献类型:期刊
卷号:7
页面范围:529-533
是否译文:否
CN号:null
发表时间:2019-04-01
收录刊物:SCI