1. 宽禁带半导体材料及器件

氮化镓基半导体材料体系包括氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）、氮化铝（AlN）及其三元（AlGaN、InGaN）、四元（AlInGaN）合金材料，材料体系丰富，不仅电学性能出色，适于制备高性能微电子器件，而且作为直接带隙材料，特别适于制备高性能光电子器件，被视为“超越摩尔时代”光电集成的优选材料。

2. 氮化物紫外光电器件及应用

基于Al(Ga)N半导体材料的紫外发光二极管(UV LED)和紫外激光二极管(UV LD)在医疗卫生、工业生产、化学分析、生物科技等许多领域具有广阔的应用前景，是氮化物半导体器件研究的前沿热点。

3. 半导体光电集成

光电集成技术通过光与电的结合, 使得不同类型的器件(如光电子、微电子等)能够在芯片上高效协同工作, 能在数据传输和处理过程中提供更高效的传输能力和计算, 从而有望极大提升系统集成度，为未来集成电路突破带宽和算力瓶颈提供解决方案。