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个人信息

闫建昌

教授

教授博士生导师硕士生导师

电子邮箱：

所在单位：集成电路科学与工程学院

学历：博士研究生

办公地点：北航第一馆

在职信息：在职

主要任职：蓝天杰出教授(二级)

研究方向

当前位置: 中文主页 >>研究方向

宽禁带半导体材料及器件

氮化镓基半导体材料体系包括氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）、氮化铝（AlN）及其三元（AlGaN、InGaN）、四元（AlInGaN）合金材料，材料体系丰富，不仅电学性能出色，适于制备高性能微电子器件，而且作为直接带隙材料，特别适于制备高性能光电子器件，被视为“超越摩尔时代”光电集成的优选材料。