北京航空航天大学主页平台系统闫建昌--中文主页-- Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser

+

个人信息

闫建昌

教授

教授博士生导师硕士生导师

电子邮箱：

所在单位：集成电路科学与工程学院

学历：博士研究生

办公地点：北航第一馆

在职信息：在职

主要任职：蓝天杰出教授(二级)

论文

当前位置: 中文主页 >> 论文

Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser

发布时间：2026-04-17 点击次数：

DOI码：10.1364/OE.23.011334
发表刊物：Optics Express
卷号：23
期号：9
页面范围：11334-11340
是否译文：否
发表时间：2015-05-11

上一条：282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates

下一条：AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AlN template using MOVPE