彭守仲，副教授，博导，北航集成电路学院院长助理、铸芯教职工党支部书记，国家自然科学基金优秀青年基金获得者，入选中国科协“青年人才托举工程”、小米青年学者、北航青年拔尖人才，获北京市科学技术奖自然科学一等奖、中国电子学会科学技术奖自然科学一等奖、华为奥林帕斯先锋奖、全国高校电子信息类专业课程实验案例设计竞赛全国一等奖、北京市教育教学成果奖二等奖、北航优秀教学成果奖特等奖、北航教师教学基本功比赛一等奖、北航优秀共产党员、北航集成电路学院院长教学奖。

长期从事集成电路、自旋电子学、磁随机存储器、微电子器件、磁性材料、磁性物理等方面的实验和理论研究。主持了国家自然科学基金优秀青年基金、国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金青年基金等科研项目10项，参与了核高基国家科技重大专项子课题、科技部国家科技合作专项、华为海思公司技术合作项目等项目5项。在Nature Electronics、Cell Reports Physical Science、Advanced Electronic Materials、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters、Physical Review B等SCI期刊发表高水平论文30余篇，在微电子器件领域顶级会议IEEE IEDM发表论文1篇，论文被引1500余次；一篇论文入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics，一篇论文入选Wiley半月精选论文。申请发明专利10余项，获授权5项，转化2项；2次获得中国电子学会成果鉴定，制定中国电子学会团体标准5项。多次担任国际磁学年会（INTERMAG）、国际磁学与磁性材料大会（MMM）等重要学术会议的分会场主席，受邀在国际前沿材料大会（ICFM）、全国磁学和磁性材料会议、全国电子信息青年科学家论坛、全国电子材料与器件大会、自旋量子态调控科技论坛等学术会议做邀请报告10余次，参加国际自旋存储与逻辑研讨会（SML）并2次获最佳海报奖。

在北航首次开设并主讲了本科核心专业课《微电子器件实验》（16理论课时+32实验课时）、研究生课《集成电路技术开放实验》和《集成电路技术综合实验》，其中《微电子器件实验》获校级课程思政示范课程认证和院级一流本科课程立项；参与讲授本科核心通识课《自旋电子科技前沿》和研究生课专业课《自旋电子学前沿进展》，其中《自旋电子科技前沿》获北京高校优质本科课程和校级一流本科课程认证。参与出版《自旋电子科学与技术》等教材3部，其中2部获批工信部“十四五”规划教材，1部入选“十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目。已指导博士研究生9人、硕士研究生15人、本科毕设9人，担任本科生学业导师及班主任，被评为北航学院“优秀导师”（2020年-2023年）和“优秀班主任”（2020年）、集成电路学院“优秀班主任”（2021年-2023年）。

每年招收博士研究生1-3人、硕士研究生2-3人、本科毕设及本科生2-3人，欢迎报考和联系（shouzhong.peng@buaa.edu.cn）。

代表性论文：

[1] Peng S, Zhu D, Li W, Wu H, Grutter A, Gilbert D, Lu J, Xiong D, Cai W, Shafer P, Wang K, Zhao W*.  Exchange bias switching in an  antiferromagnet/ferromagnet bilayer driven by spin-orbit torque. Nature Electronics. 2020, 3(12): 757-764. https://www-nature-com-443.e1.buaa.edu.cn/articles/s41928-020-00504-6

[2] Wang H, Vallobra P*, Xu Y, Zhang Z, Peng S*, Zhao W. Field-like Torque Driven Switching in Rareearth Transition-metal Alloys. Physical Review B. 2024.

[3] Li W, Liu Z, Peng S*, Lu J, Liu J, Li X, Lu S, Otani Y, Zhao W. Selective Data Writing in IrMn-Based Perpendicular Magnetic Tunnel Junction Array Through Voltage-Gated Spin-Orbit Torque. IEEE Electron Device Letters. 2024, 45(5): 921.

[4] Lu J, Li W, Liu J, Liu Z, Wang Y, Jiang C, Du J, Lu S, Lei N, Peng S*, Zhao W, Voltage-gated spin-orbit torque switching in IrMn-based perpendicular magnetic tunnel junctions. Applied Physics Letters. 2023, 122(1): 012402.

[5] Chen R, Wang X, Cheng H, Lee KJ, Xiong D, Kim JY, Li S, Yang H, Zhang H, Cao K, Kläui M, Peng S*, Zhang X*, Zhao W*.  Large Dzyaloshinskii-Moriya interaction and room-temperature nanoscale skyrmions in CoFeB/MgO heterostructures. Cell Reports Physical Science. 2021, 2:100618.

[6] Li W, Peng S*, Lu J, et al.. Experimental demonstration of voltage-gated spin-orbit torque switching in antiferromagnet/ferromagnet structure. Physical Review B. 2021, 103(9): 094436.

[7] Cheng H, Chen J, Peng S*,  et al.. Giant perpendicular magnetic anisotropy in Mo-based double-interface free layer structure for advanced magnetic tunnel junctions. Advanced Electronic Materials. 2020, 6(8): 2000271.

[8] Xiong D, Peng S*, Lu J, et al.. Modulation of thermal stability and spin-orbit torque in IrMn/CoFeB/MgO structures through atom thick W insertion. Applied Physics Letters. 2020, 117(21): 212401. 

[9] Chen J, Peng S*, Xiong D, et al.. Correlation of interfacial perpendicular magnetic anisotropy and interlayer exchange coupling in CoFe/W/CoFe structures. Journal of Physics D: Applied Physics. 2020, 53(33): 334001.（编辑优选论文）

[10] Peng S, Lu J, Li W, et al.. Field-free switching of perpendicular magnetization through voltage-gated spin-orbit torque. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2019, 28.6.1-28.6.4. （北航历史上第一篇IEEE IEDM论文）

[11] Peng S, Zhu D, Zhou J, et al.. Modulation of heavy metal/ferromagnetic metal interface for high-performance spintronic devices. Advanced Electronic Materials. 2019, 5(8): 1900134.（Wiley半月精选论文，Wiley Advanced Science News专题报道）

[12] Peng S, Wang L, Li X, et al..Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy through Fe insertion at the CoFe/W interface. IEEE Transactions on Magnetics. 2018, 54 (11): 1300705.

[13] Peng S, Zhao W, Qiao J, et al..Giant interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/capping layer structures. Applied Physics Letters. 2017,110 (7):072403.（入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics）

[14] Peng S, Li S, Kang W, et al..Large voltage-controlled magnetic anisotropy in the SrTiO3/Fe/Cu structure. Applied Physics Letters. 2017,111(15): 152403.

[15] Peng S, Kang W, Wang M, et al..Interfacial perpendicular magnetic anisotropy in sub-20 nm tunnel junctions for large-capacity spin-transfer torque magnetic random-access memory. IEEE Magnetics Letters. 2017, 8: 3105805.