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  • 彭守仲 ( 副教授 )

    的个人主页 http://shi.buaa.edu.cn/shouzhong/zh_CN/index.htm

  •   副教授   博士生导师   硕士生导师
  • 主要任职:教师/院长助理
  • 其他任职:北航合肥创新研究院微纳中心副主任
个人简介

彭守仲,副教授,博导,北京航空航天大学集成电路科学与工程学院院长助理、铸芯教职工党支部书记、北航合肥创新研究院微纳科学与技术研究中心执行主任。2013年获北京航空航天大学电子信息工程专业学士学位,2015年在美国加州大学洛杉矶分校联合培养,2018年获北京航空航天大学微电子学与固体电子学专业博士学位,被评为北航优秀博士毕业生,同年入职北京航空航天大学微电子学院(现集成电路科学与工程学院)教师岗。

长期从事自旋电子学、磁随机存储器、微电子器件、磁性材料、磁性物理等方面的理论和实验研究。已发表高水平论文30余篇,被引1000余次;其中作为第一作者或通讯作者Nature Electronics、Advanced Electronic Materials、Applied Physics Letters、Physical B等高水平SCI期刊发表论文10余篇;一篇论文入选Wiley半月精选论文,一篇论文入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics;申请发明专利10余项,获授权5项,转化2项;参与出版教材3部,其中2部获批工信部“十四五”规划教材,1部入选“十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目。在微电子器件顶级会议IEDM发表一作论文1篇,该会议具有60多年历史,被誉为微电子器件领域“奥林匹克盛会”。多次在国际磁学年会(INTERMAG)、国际磁学与磁性材料大会(MMM)等重要学术会议上做报告,担任2021年INTERMAG和2022年MMM等会议的分会场主席受邀在国际前沿材料大会(ICFM)、自旋量子态调控科技论坛、全国电子信息青年科学家论坛、全国电子材料与器件大会、全国磁学和磁性材料会议等学术会议做邀请报告,参加国际自旋存储与逻辑研讨会(SML)并两次获最佳海报奖。

入选中国科协“青年人才托举工程小米青年学者,主持了国家自然科学基金面上项目国家自然科学基金青年基金北航青年拔尖人才支持计划、北航合肥创新研究院科研项目子课题等项目8项,参与了核高基国家科技重大专项子课题、国家自然科学基金面上项目、科技部国家科技合作专项、华为海思公司技术合作项目等项目。制定中国电子学会团体标准5项,2次获得中国电子学会成果鉴定,荣获中国电子学会科学技术奖自然科学一等奖、华为奥林帕斯先锋奖

在北航首次开设并主讲了本科核心专业课《微电子器件实验》(16理论课时+32实验课时)、研究生课《集成电路技术开放实验》(18实验学时)和《集成电路技术综合实验》(18实验学时),其中《微电子器件实验》通过了校级课程思政示范课程认证和院级一流本科课程立项;参与讲授了本科生核心通识课《自旋电子科技前沿》和研究生课《自旋电子学前沿进展》,其中《自旋电子科技前沿》入选北京高校优质本科课程和校级一流本科课程已指导博士生8人、硕士研究生12人、本科毕设6人,担任本科生班主任及学业导师,被评为北航学院“优秀导师”(2020年-2023年)和“优秀班主任”(2020年)、集成电路学院“优秀班主任”(2021-2023年),获“北京市教育教学成果奖二等奖”北航优秀教学成果奖特等奖“全国高校电子信息类专业课程实验案例设计竞赛全国一等奖”、北航优秀共产党员”等奖励。

每年计划招收博士研究生1-2人、硕士研究生2-3人、本科毕设及本科生1-2人,欢迎报考和联系(shouzohng.peng@buaa.edu.cn)。


代表性论文:

[1] Peng S, Zhu D, Li W, et al..  Exchange bias switching in an  antiferromagnet/ferromagnet bilayer driven by spin-orbit torque. Nature Electronics. 2020, 3(12): 757-764. https://www-nature-com-443.e1.buaa.edu.cn/articles/s41928-020-00504-6

[2] Lu J, Li W, Liu J, Liu Z, Wang Y, Jiang C, Du J, Lu S, Lei N, Peng S*, Zhao W, Voltage-gated spin-orbit torque switching in IrMn-based perpendicular magnetic tunnel junctions. Applied Physics Letters. 2023, 122(1): 012402.

[3] Chen R, Wang X, Cheng H, Lee KJ, Xiong D, Kim JY, Li S, Yang H, Zhang H, Cao K, Kläui M, Peng S*, Zhang X*, Zhao W*.  Large Dzyaloshinskii-Moriya interaction and room-temperature nanoscale skyrmions in CoFeB/MgO heterostructures. Cell Reports Physical Science. 2021, 2:100618.

[4] Li W, Peng S*, Lu J, et al.. Experimental demonstration of voltage-gated spin-orbit torque switching in antiferromagnet/ferromagnet structure. Physical Review B. 2021, 103(9): 094436.

[5] Cheng H, Chen J, Peng S*,  et al.. Giant perpendicular magnetic anisotropy in Mo-based double-interface free layer structure for advanced magnetic tunnel junctions. Advanced Electronic Materials. 2020, 6(8): 2000271.

[6] Xiong D, Peng S*, et al.. Modulation of thermal stability and spin-orbit torque in IrMn/CoFeB/MgO structures through atom thick W insertion. Applied Physics Letters. 2020, 117(21): 212401. 

[7] Chen J, Peng S*, Xiong D, et al.. Correlation of interfacial perpendicular magnetic anisotropy and interlayer exchange coupling in CoFe/W/CoFe structures. Journal of Physics D: Applied Physics. 2020, 53(33): 334001.(编辑优选论文)

[8] Peng S, Lu J, Li W, et al.. Field-free switching of perpendicular magnetization through voltage-gated spin-orbit torque. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2019, 28.6.1-28.6.4. (北航历史上第一篇IEDM论文)

[9] Peng S, Zhu D, Zhou J, et al.. Modulation of heavy metal/ferromagnetic metal interface for high-performance spintronic devices. Advanced Electronic Materials. 2019, 5(8): 1900134.(Wiley半月精选论文,Wiley Advanced Science News专题报道

[10] Peng S, Wang L, Li X, et al..Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy through Fe insertion at the CoFe/W interface. IEEE Transactions on Magnetics. 2018, 54 (11): 1300705.

[11] Peng S, Zhao W, Qiao J, et al..Giant interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/capping layer structures. Applied Physics Letters. 2017,110 (7):072403.(入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics

[12] Peng S, Li S, Kang W, et al..Large voltage-controlled magnetic anisotropy in the SrTiO3/Fe/Cu structure. Applied Physics Letters. 2017,111(15): 152403.

[13] Peng S, Kang W, Wang M, et al..Interfacial perpendicular magnetic anisotropy in sub-20 nm tunnel junctions for large-capacity spin-transfer torque magnetic random-access memory. IEEE Magnetics Letters. 2017, 8: 3105805.

[14] Peng S, Wang M, Yang H, et al..Origin of interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/metallic capping layer structures. Scientific reports. 2015, 5: 18173.


教育经历
  • [1]. 2015.11 -- 2016.11

    美国加州大学洛杉矶分校       微电子学与固体电子学

  • [2]. 2013.9 -- 2018.6

    北京航空航天大学       微电子学与固体电子学       博士研究生毕业       博士学位

  • [3]. 2009.9 -- 2013.6

    北京航空航天大学       电子信息工程       大学本科毕业       学士学位

工作经历
  • [1]. 2023.11 -- 至今

    中国国际科技交流中心      国际组织处      副处长(挂职)

  • [2]. 2018.7 -- 至今

    北京航空航天大学      集成电路科学与工程学院      教师

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