彭守仲 (副教授)

副教授 博士生导师 硕士生导师

主要任职:教师/院长助理

性别:男

毕业院校:北京航空航天大学

学位:工学博士学位

所在单位:集成电路科学与工程学院

学科:电子科学与技术

办公地点:北航第一馆203办公室

联系方式:shouzhong.peng@buaa.edu.cn

Email:

曾获荣誉:

2022    中国科协青年人才托举工程入选者

2021    北航青年拔尖人才支持计划

2021    优秀导师

2020    优秀导师

2020    优秀班主任

2019    工会先进工作者

2019    北航青年教师教学业务培训优秀学员

2018    北京航空航天大学优秀博士毕业生

2017    国际自旋存储与逻辑研讨会最佳海报奖

2016    博士研究生国家奖学金

个人简历

彭守仲,副教授,博导,北京航空航天大学集成电路科学与工程学院院长助理、北航合肥创新研究院微纳科学与技术研究中心副主任。2013年获北京航空航天大学电子信息工程专业学士学位,2015年在美国加州大学洛杉矶分校联合培养,2018年获北京航空航天大学微电子学与固体电子学专业博士学位,被评为北航优秀博士毕业生,同年入职北京航空航天大学微电子学院教师岗。

长期从事自旋电子学、磁随机存储器、微电子器件、磁性材料、磁性物理等方面的理论和实验研究。已发表SCI论文20余篇,被引800余次;其中作为第一作者或通讯作者Nature Electronics、Advanced Electronic Materials、Applied Physics Letters、Physical B等高水平SCI期刊发表论文10余篇,被引300余次,单篇最高被引100余次;一篇论文入选Wiley半月精选论文,一篇论文入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics;申请中国发明专利7项,获授权3项,专利转化2项,申请国际发明专利4项;参与编写教材3部,其中2部获批工信部“十四五”规划教材,1部入选“十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目。在微电子器件顶级会议IEDM发表一作论文1篇,该会议具有60多年历史,被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”,这是北航历史上首次在该会议发表论文,也是中国大陆首次在该会议发表磁随机存储器(MRAM)相关论文。多次在国际磁学年会(INTERMAG)、国际磁学与磁性材料大会(MMM)等重要学术会议上做报告并担任2021年国际磁学年会分会场主席受邀在国际前沿材料大会(ICFM)等学术会议做邀请报告,参加国际自旋存储与逻辑研讨会(SML)并获最佳海报奖。

获中国电子学会推荐入选第七届中国科协“青年人才托举工程,主持了国家自然科学基金北航青年拔尖人才支持计划、北航合肥创新研究院科研项目子课题等项目5项,参与了核高基国家科技重大专项子课题、国家自然科学基金面上项目、科技部国家科技合作专项、华为海思公司技术合作项目等项目,获批科研经费800余万元。制定中国电子学会团体标准2项,2次获得中国电子学会成果鉴定,荣获中国电子学会科学技术奖自然科学一等奖

在北航首次开设并主讲了本科核心专业课《微电子器件实验》(16理论课时+32实验课时)、研究生课《集成电路技术开放实验》(18实验学时)和《集成电路技术综合实验》(18实验学时),其中《微电子器件实验》入选校级课程思政示范课程立项;参与讲授了本科生核心通识课《自旋电子科技前沿》和研究生课《自旋电子学前沿进展》,其中《自旋电子科技前沿》入选北京高校优质本科课程已指导博士生2人、硕士研究生7人、本科毕设5人,担任本科生班主任及学业导师,被评为北航学院“优秀导师”(2020年和2021年)和“优秀班主任”(2020年),获“北京市教育教学成果奖二等奖”、北航优秀教学成果奖一等奖北航集成电路学院优秀共产党员”等奖励。

每年计划招收研究生2-3人、本科毕设及本科生1-2人,欢迎报考和联系。


代表性论文:

[1] Peng S, Zhu D, Li W, et al..  Exchange bias switching in an  antiferromagnet/ferromagnet bilayer driven by spin-orbit torque. Nature Electronics. 2020, 3(12): 757-764. https://www.nature.com/articles/s41928-020-00504-6

[2] Chen R, Wang X, Cheng H, Lee KJ, Xiong D, Kim JY, Li S, Yang H, Zhang H, Cao K, Kläui M, Peng S*, Zhang X*, Zhao W*.  Large Dzyaloshinskii-Moriya interaction and room-temperature nanoscale skyrmions in CoFeB/MgO heterostructures. Cell Reports Physical Science. 2021, 2:100618.

[3] Li W, Peng S*, Lu J, et al.. Experimental demonstration of voltage-gated spin-orbit torque switching in antiferromagnet/ferromagnet structure. Physical Review B. 2021, 103(9): 094436.

[4] Cheng H, Chen J, Peng S*,  et al.. Giant perpendicular magnetic anisotropy in Mo-based double-interface free layer structure for advanced magnetic tunnel junctions. Advanced Electronic Materials. 2020, 6(8): 2000271.

[5] Xiong D, Peng S*, et al.. Modulation of thermal stability and spin-orbit torque in IrMn/CoFeB/MgO structures through atom thick W insertion. Applied Physics Letters. 2020, 117(21): 212401. 

[6] Chen J, Peng S*, Xiong D, et al.. Correlation of interfacial perpendicular magnetic anisotropy and interlayer exchange coupling in CoFe/W/CoFe structures. Journal of Physics D: Applied Physics. 2020, 53(33): 334001.(编辑优选论文)

[7] Peng S, Lu J, Li W, et al.. Field-free switching of perpendicular magnetization through voltage-gated spin-orbit torque. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2019, 28.6.1-28.6.4. (北航历史上第一篇IEDM论文)

[8] Peng S, Zhu D, Zhou J, et al.. Modulation of heavy metal/ferromagnetic metal interface for high-performance spintronic devices. Advanced Electronic Materials. 2019, 5(8): 1900134.(Wiley半月精选论文,Wiley Advanced Science News专题报道

[9] Peng S, Wang L, Li X, et al..Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy through Fe insertion at the CoFe/W interface. IEEE Transactions on Magnetics. 2018, 54 (11): 1300705.

[10] Peng S, Zhao W, Qiao J, et al..Giant interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/capping layer structures. Applied Physics Letters. 2017,110 (7):072403.(入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics

[11] Peng S, Li S, Kang W, et al..Large voltage-controlled magnetic anisotropy in the SrTiO3/Fe/Cu structure. Applied Physics Letters. 2017,111(15): 152403.

[12] Peng S, Kang W, Wang M, et al..Interfacial perpendicular magnetic anisotropy in sub-20 nm tunnel junctions for large-capacity spin-transfer torque magnetic random-access memory. IEEE Magnetics Letters. 2017, 8: 3105805.

[13] Peng S, Wang M, Yang H, et al..Origin of interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/metallic capping layer structures. Scientific reports. 2015, 5: 18173.


教育经历

[1]   2015.11-2016.11

美国加州大学洛杉矶分校  |  微电子学与固体电子学

[2]   2013.9-2018.6

北京航空航天大学  |  微电子学与固体电子学  |  博士学位  |  博士研究生毕业

[3]   2009.9-2013.6

北京航空航天大学  |  电子信息工程  |  学士学位  |  大学本科毕业

工作经历

[1]   2018.7-至今

北京航空航天大学  |  集成电路科学与工程学院  |  教师

研究方向

  • [1]   微电子学

  • [2]   自旋电子学

  • [3]   磁随机存储器

  • [4]   磁性材料及薄膜

  • [5]   微纳器件制备及测试

  • [6]   第一性原理与微磁学仿真