彭守仲 (讲师)

讲师 硕士生导师

主要任职:教师

性别:男

出生年月:1990-09-12

毕业院校:北京航空航天大学

学位:博士学位

所在单位:微电子学院

学科:电子科学与技术

办公地点:北航新主楼A座911

联系方式:+86 15210836084

Email:

曾获荣誉:

2019    北航青年教师教学业务培训优秀学员

2018    北京航空航天大学优秀博士毕业生

2017    国际自旋存储与逻辑研讨会最佳海报奖

2016    博士研究生国家奖学金

2017    中航工业一等奖学金

2015    光华奖学金

2013    北京航空航天大学优秀本科毕业生

2010    本科生国家奖学金

个人简历

彭守仲,北京航空航天大学微电子学院教师。2013年获北京航空航天大学电子信息工程专业学士学位,2015年在美国加州大学洛杉矶分校联合培养,2018年获北京航空航天大学微电子学与固体电子学专业博士学位,被评为北航优秀博士毕业生,同年入职北京航空航天大学微电子学院教师岗。

长期从事自旋电子学、新型非易失存储器、磁性材料与薄膜、微纳器件制备与测试等方面的理论和实验研究。在Nature Communications、Advanced Electronic Materials、Applied Physics Letters等高水平期刊发表SCI论文18篇,被引400余次;其中第一作者或通讯作者SCI论文8篇,被引170余次,单篇最高被引90余次,一篇论文入选Wiley半月精选论文,一篇论文入选Appl. Phys. Lett. Top Articles in Magnetics and Spintronics;申请中国发明专利6项,获授权2项,申请国际发明专利3项;参与编写工信部“十二五”规划教材1部。在微电子器件顶级会议IEDM发表一作论文1篇,该会议具有60多年历史,被誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”,这是北航历史上首次在该会议发表论文,也是中国大陆首次在该会议发表磁随机存储器(MRAM)相关论文。多次参加国际磁学年会(INTERMAG)、国际磁学与磁性材料大会(MMM)等重要学术会议并做报告,参加国际自旋存储与逻辑研讨会(SML)并获最佳海报奖。主持了北航合肥创新研究院科研项目子课题1项,参与了核高基国家科技重大专项子课题、国家自然科学基金面上项目、科技部国家科技合作专项等科研项目。已指导硕士研究生4人、本科毕设4人,协助指导博士研究生2人,担任本科生班主任及学业导师。每年招收研究生2-4人、本科毕设及本科生2-4人。



近五年代表性论文(按时间排序):

[1] Cheng H, Chen J, Peng S*,  et al.. Giant perpendicular magnetic anisotropy in Mo-based double-interface free layer structure for advanced magnetic tunnel junctions. Accepted by Advanced Electronic Materials. 2020, 2000271. DOI: 10.1002/aelm.202000271.

[2] Chen J, Peng S*, Xiong D, et al.. Correlation of interfacial perpendicular magnetic anisotropy and interlayer exchange coupling in CoFe/W/CoFe structures. Journal of Physics D: Applied Physics. 2020, 53(33):334001.

[3] Peng S, Lu J, Li W, et al.. Field-free switching of perpendicular magnetization through voltage-gated spin-orbit torque. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2019, 28.6.1-28.6.4. 

[4] Peng S, Zhu D, Zhou J, et al.. Modulation of heavy metal/ferromagnetic metal interface for high-performance spintronic devices. Advanced Electronic Materials. 2019, 5(8): 1900134.

[5] Peng S, Wang L, Li X, et al..Enhancement of perpendicular magnetic anisotropy through Fe insertion at the CoFe/W interface. IEEE Transactions on Magnetics. 2018, 54 (11):1300705.

[6] Peng S, Zhao W, Qiao J, et al..Giant interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/capping layer structures. Applied Physics Letters. 2017,110 (7):072403.

[7] Peng S, Li S, Kang W, et al..Large voltage-controlled magnetic anisotropy in the SrTiO3/Fe/Cu structure. Applied Physics Letters. 2017,111 (15):152403.

[8] Peng S, Kang W, Wang M, et al..Interfacial perpendicular magnetic anisotropy in sub-20 nm tunnel junctions for large-capacity spin-transfer torque magnetic random-access memory. IEEE Magnetics Letters. 2017,8 :3105805.

[9] Peng S, Wang M, Yang H, et al..Origin of interfacial perpendicular magnetic anisotropy in MgO/CoFe/metallic capping layer structures. Scientific reports. 2015,5 :18173.


教育经历

[1]   2015.11-2016.11

美国加州大学洛杉矶分校  |  微电子学与固体电子学

[2]   2013.9-2018.6

北京航空航天大学  |  微电子学与固体电子学  |  博士学位  |  博士研究生毕业

[3]   2009.9-2013.6

北京航空航天大学  |  电子信息工程  |  学士学位  |  大学本科毕业

工作经历

[1]   2018.7-至今

北京航空航天大学  |  微电子学院  |  教师

研究方向

  • [1]   自旋电子学

  • [2]   磁随机存储器

  • [3]   磁性材料及薄膜

  • [4]   微纳器件制备及测试

  • [5]   第一性原理与微磁学仿真