靳晓笛
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靳晓笛
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研究领域
量子技术领域：量子比特的超低温读出电路设计，包含LNA、TIA、VCO等
半导体器件建模领域：
车规级温度下，半导体器件（III-V HBT，SiGe HBT，MOSFET等）的高频大信号建模
超低温锗硅异质结晶体管（SiGe HBT）的物理基建模，包含直流、小信号、大信号和噪声建模
超高温（300摄氏度），半导体器件的建模
工艺领域：射频半导体的关键工艺研究
AI赋能领域
AI赋能的器件建模
AI赋能的射频电路设计
AI赋能的工艺优化