车规级温度下，半导体器件（III-V HBT，SiGe HBT，MOSFET等）的高频大信号建模

超低温锗硅异质结晶体管（SiGe HBT）的物理基建模，包含直流、小信号、大信号和噪声建模

超高温（300摄氏度），半导体器件的建模