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同专业博导
同专业硕导
张德明
( 副教授 )
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的个人主页 http://shi.buaa.edu.cn/zhangdeming/zh_CN/index.htm
副教授 博士生导师 硕士生导师
主要任职：
副教授
其他任职：
北航青岛研究院院长
教师英文名称：
Zhang Deming
教师拼音名称：
Zhang Deming
电子邮箱：
56e15a23a92ae10d71800b7bbd7289b151b84b7ea1780d7f077ae0aa90b00031a3dcd14cf6ae6f2110a610b67b0380892f9900dc983329c47e60a99e5d7d781823d25ba0367131e2718a571954419105718cf7b1ec1d01e776a48e9ecdeba5958cd6c4edeb5d9b4afaf8e9f0b8553b6c28fd58b5767a0fd1f9aaaffe6829cee2
所在单位：
北航青岛研究院
职务：
Undergraduate teachers in charge
学历：
博士研究生
办公地点：
第一馆222室
性别：
男
学位：
工学博士学位
在职信息：
在职
毕业院校：
北京航空航天大学
学科：
电子科学与技术
论文
当前位置：
中文主页
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论文
[21]
.Stochastic Spintronic Device based Synapses and Spiking Neurons for Neuromorphic Computation.[会议录]:2016 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH 2016),2016
[22]
.Realization of Neural Coding by Stochastic Switching of Magnetic Tunnel Junction.[会议录]:2015 IEEE Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2015),2015
[23]
.Energy-Efficient Neuromorphic Computation based on Compound Spin Synapse with Stochastic Learning.[会议录]:2015 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2015),2015
[24]
.A novel SEU-tolerant MRAM Latch Circuit based on C-Element.[会议录]:2014 IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT 2014),2014
[25]
.一种写电路及存储器.[专利文献]:中国，专利号：201510409776.3（已授权，并转让给华为技术有限公司）
[26]
.一种混合存储单元的读取电路结构.[专利文献]:中国专利，专利号：201410340515.6（已授权）
[27]
.一种新型可高速计算、大容量存储的存储单元.[专利文献]:中国专利，专利号：201310553175.0 （已授权）
[28]
.一种磁性存储单元和数据写入方法.[专利文献]:中国专利，专利号：202010350316.9（已受理）
[29]
.一种基于C单元抗单粒子双节点翻转的磁存储器读电路.[专利文献]:中国专利，专利号：2020109105837（已受理）
[30]
.一种基于C单元抗单粒子翻转的磁存储器读电路.[专利文献]:中国专利，专利号：2020109119223（已受理）
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