Novel Magnetic Tunneling Junction Memory Cell With Negative Capacitance-Amplified Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Effect
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发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices
论文类型:基础研究
一级学科:电子科学与技术
文献类型:期刊
卷号:64
期号:12
页面范围:4919-4927
是否译文:否
CN号:null
发表时间:2017-12-01
收录刊物:SCI