Self-Adaptive Write Circuit for Magnetic Tunneling Junction Memory With Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Effect
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发表刊物:IEEE Transactions on Nanotechnology
论文类型:基础研究
通讯作者:Weisheng Zhao
一级学科:电子科学与技术
文献类型:期刊
卷号:17
期号:3
页面范围:492-499
是否译文:否
CN号:null
发表时间:2018-05-01
收录刊物:SCI