Performance Evaluation and Optimization of Single Layer MoS2 Double Gate Transistors With Schottky Barrier Contacts
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发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices
合写作者:Tianqi Gao,Fanghui Gong,Xiaowan Qin,Mingzhi Long,Youguang Zhang
第一作者:Lang Zeng#,Deming Zhang#
论文类型:基础研究
通讯作者:Weisheng Zhao
一级学科:电子科学与技术
文献类型:期刊
卷号:64
期号:7
页面范围:2999-3006
是否译文:否
CN号:null
发表时间:2017-07-01
收录刊物:SCI