Magnetic Nonvolatile SRAM Based on Voltage Gated Spin Orbit Torque Magnetic Tunnel Junctions
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发表刊物:IEEE Transac tions on Electron Devices
合写作者:Kaili Zhang,Lang Zeng,You Wang,Zhengyi Hou,Youguang Zhang
第一作者:Chengzhi Wang
论文类型:基础研究
通讯作者:Deming Zhang*,Weisheng Zhao*
一级学科:电子科学与技术
文献类型:期刊
卷号:67
期号:5
页面范围:1965-1971
是否译文:否
CN号:null
发表时间:2020-05-01
收录刊物:SCI