氮化镓基半导体材料体系包括氮化镓（GaN）、氮化铟（InN）、氮化铝（AlN）及其三元（AlGaN、InGaN）、四元（AlInGaN）合金材料，材料体系丰富，不仅电学性能出色，适于制备高性能微电子器件，而且作为直接带隙材料，特别适于制备高性能光电子器件，被视为“超越摩尔时代”光电集成的优选材料。
Professor
Supervisor of Doctorate Candidates
Supervisor of Master's Candidates
闫建昌，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院，蓝天杰出教授（二级），博士生导师，国家级领军人才，国家自然科学基金优秀青年基金获得者，北京市科技新星计划入选者，山西省“三晋英才”支持计划高端领军人才。从事宽禁带半导体材料及器件研究二十余年，尤其专长于氮化镓半导体紫外发光器件领域，主持国家863计划、重点研发计划、自然科学基金等多项国家级科研任务。积极推动研究成果落地转化，实现了深紫外LED研究成果产业转化应用，助力2022冬奥会科技防疫，得到科技部表彰。担任中关村半导体照明工程研发及产业联盟紫外LED专业委员会秘书长，中国环保机械行业协会紫外线专委会(CUVA)副会长，山西省材料学会副理事长。获北京市科学技术... More+
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