本团队拥有磁控溅射系统、分子束外延（MBE）、原子层沉积（ALD）、磁存储器件微纳加工平台等设备，可实现垂直磁记录介质、MRAM 磁隧道结（MTJ）、斯格明子存储单元的可控制备；在存储性能表征方面：本团队配备磁滞回线测量系统（VSM）、自旋转移矩测试平台、时间分辨磁光克尔效应（TR-MOKE）设备，能对存储材料的磁各向异性、读写能耗、自旋动力学等关键性能进行精准分析；本团队还具备磁存储器件的电性能测试、可靠性评估等全流程实验平台。