带电粒子蒸发对电荷改变截面贡献的同位旋依赖性(PLB2023)

 基于HIRFL的RIBLL2束流线，我们测量了300 MeV/核子¹¹⁻¹⁵C、¹³⁻¹⁷N和^15,17−18O在碳靶上的的电荷改变反应截面（CCCS），首次将CCR研究扩展到N＜Z的p壳层同位素。当前的理论研究主要依赖Glauber模型来解析实验数据，然而理论模型只考虑了炮弹核中的质子密度分布对CCCS的贡献，这导致理论仅能再现实验数据的约90%。我们的研究表明，这种系统性低估可以通过考虑“炮弹核的中子去除反应后的带电粒子蒸发过程（CPEP）”的贡献来解决。结合现有实验数据，首次明确指出了带电离子蒸发过程对电荷改变反应贡献具有同位旋依赖性，与反应能量无关；揭示了碳到钙同位素链种“中子-质子分离能”在零附近的带电粒子蒸发过程贡献最显著，即存在“蒸发峰”。研究结果对理解重离子核反应及发展普适的奇特核电荷半径测量方法具有意义。研究结果发表在Physics Letter B期刊上 Physics Letters B 847, 138269 (2023)，arXiv.2310.13936。