以硫族化合物相变材料作为存储介质的相变存储器是目前技术上最成熟的新一代非易失性存储技术，在研发高性能神经形态计算芯片方面也具备巨大潜力。
相变存储器的工作原理非常直观：对晶态相变材料施加强且短的电脉冲，相变材料快速熔化并淬火至非晶态，实现写操作；对非晶相变材料施加中等强度且长的电脉冲，非晶态转变为晶态，实现擦操作；非晶和晶态相变材料间巨大的光/电性能差异保证了数据的读取。
Ubin
+
Gender:Male
Alma Mater:北京航空航天大学
Research Focus
Current position:
Home
/Research Focus
Chalcogenide phase-change materials and phase-change random-access memory