Exciton Proliferation and Fate of the Topological Mott Insulator in a Twisted Bilayer Graphene Lattice Model
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影响因子:8.1
DOI码:10.1103/PhysRevLett.128.157201
发表刊物:Phys. Rev. Lett.
合写作者:Wei Li,Zi Yang Meng*,Tao Shi*
第一作者:Xiyue Lin#,Bin-Bin Chen#*
论文类型:期刊论文
卷号:128
期号:15
页面范围:157201
是否译文:否
发表时间:2022-04-12
收录刊物:SCI
发布期刊链接:
https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.128.157201