赵建华，博士，教授，博士生导师。杭州市北京航空航天大学国际创新研究院（北京航空航天大学国际创新学院）教授，自旋芯片与技术全国重点实验室首席科学家。

1985年、1988年吉林大学物理系理学学士、硕士学位，1999年中国科学院物理所理学博士学位。1988-1996年燕山大学材料科学与工程学院任教。1999-2000年中国科学院半导体所博士后，2000-2002年日本东北大学电气通信研究所博士后。2002年9月至2024年9月中国科学院半导体所半导体超晶格国家重点实验室研究员。2015年3月至2024年9月中国科学院大学岗位教授。2024年10月1日至今杭州市北京航空航天大学国际创新研究院（北京航空航天大学国际创新学院）教授，中国科学院半导体所客座教授。

长期从事半导体自旋电子学和低维半导体物理研究，率团队取得了系统的创新性成果。迄今在包括Nature子刊、Phys. Rev. Lett.、Nano Lett.和Adv. Mater.在内的重要学术刊物上发表文章300余篇，在国内外会议上做邀请报告130余次。荣获亚洲磁学联盟奖(AUMS Award)、中国物理学会黄昆物理奖、中国科学院优秀研究生指导教师奖、国家技术发明二等奖等荣誉，享受国务院政府特殊津贴。培养博士30余人，约20人次获国家奖学金、中国科学院院长奖学金优秀奖、中国科学院优秀博士学位论文、北京市优秀毕业生和中国科学院半导体所所长奖学金等奖励。

科技部重大科学研究计划项目首席科学家，主持过10余项国家自然科学基金委、科技部和中国科学院资助的重点、重大项目。现任国际纯粹与应用物理学联合会（IUPAP）磁学专业委员会委员，并当选下一届该委员会副主任（2015-2017年）。同时担任国际磁学与磁性材料顾问委员会（MMM Adcom）委员、香港研究资助局（RGC）物理科学组成员、中国物理学会磁学专业委员会委员、中国物理学会女物理工作者委员会委员，以及《中国科学》、《国家科学评论》、《物理》、《物理学进展》编委等职务。曾任中国科学院半导体研究所学术委员会副主任、《半导体学报》副主编、《Semiconductor Science and Technology》编委、固体中的自旋输运国际研讨会主席，以及国际磁学大会（ICM）、IEEE国际磁学大会（INTERMAG）、磁学与磁性材料国际大会（MMM）等国际会议组委会委员。

代表性成果包括：(1) 发展了提高磁性半导体居里温度的方法，创下并保持典型磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度为200K的国际最高纪录；(2) 观测到轨道双通道近藤（2CK）效应的非费米液体行为等完整的输运特征，首次实验证实了轨道2CK效应的理论预言，解决了量子多体物理领域36年的激烈争议；(3) 制备出与半导体结构以及亚10纳米节点工艺兼容的超大垂直磁各向异性Mn基二元合金单晶薄膜，为研发新型超高密度自旋存储器以及磁敏传感器提供了重要材料体系；(4) 解决了高品质窄禁带半导体InAs和InSb低维量子结构及其与超导构成的异质结构生长动力学难题，为新型室温光电器件、自旋量子比特和拓扑量子比特研究提供了系列优质材料等。

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