Magnetic Nonvolatile SRAM Based on Voltage Gated Spin Orbit Torque Magnetic Tunnel Junctions
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发表刊物：IEEE Transac tions on Electron Devices
合写作者：Kaili Zhang,Lang Zeng,You Wang,Zhengyi Hou,Youguang Zhang
第一作者：Chengzhi Wang
论文类型：基础研究
通讯作者：Deming Zhang*,Weisheng Zhao*
一级学科：电子科学与技术
文献类型：期刊
卷号：67
期号：5
页面范围：1965-1971
是否译文：否
CN号：null
发表时间：2020-05-01
收录刊物：SCI
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