杨光，博士，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授。

2011年毕业于北京科技大学材料科学与工程学院，获材料物理专业学士学位，后于本校硕博连读从事自旋电子材料与器件相关研究工作。博士期间在中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室进行联合培养，2017年获博士学位（导师于广华教授、王守国教授）。2017年10月至2018年10月在新加坡国立大学电子工程系自旋与能源实验室从事博士后研究（合作导师Hyunsoo YANG教授），与格罗方德公司磁性随机存储器研究部门合作测试开发用于替代传统静态随机存储器的新型超快非易失存储器。2018年11月至2021年10月在英国剑桥大学材料科学系量子材料器件组从事博士后研究（合作导师Jason Robinson教授），研究课题为超导自旋电子学。2021年11月回国入职北京航空航天大学。

长期从事磁性、超导薄膜材料，自旋电子学，磁性存储器等方面的实验研究工作，具有产业合作研发经验。发表40余篇SCI论文，在研科技部重点研发计划子课题、国家自然科学基金，曾作为核心骨干参与英国工程和物理科学研究委员会（ EPSRC）重大项目、新加坡国立大学-格罗方德联合开发项目等。

具体研究方向介绍（详见https://www.researchgate.net/profile/Guang-Yang-12/research）：

1. 超导自旋电子学。磁性与超导本是自然界中互相排斥的两个序参量，但在纳米尺度下二者有望互相兼容，协同作用。我们通过精细的薄膜材料生长和微纳加工，探究磁性/超导纳米异质界面处新奇的自旋相关输运特性：如无能量耗散的超导自旋流的产生、注入与探测；磁性对超导相位的调控等。以此为基础，我们制备超导磁性隧道结、磁性约瑟夫森结等新奇的自旋相关低温存储器件，进一步推动传统自旋电子器件向极低功耗（aJ/bit）方向发展。同时我们的长期目标期望探索设计低温下（10 mK）辅助量子计算的超导自旋存储器件，将自旋电子学与量子计算有机融合。

APL Mater. 9, 050703 (2021)

Sci. Adv. 7, eabe0128 (2021)

Phys. Rev. Appl. 17, L021002 (2022)

Appl. Phys. Lett. 116, 130501 (2020)

2. 传统自旋电子器件的电输运性质调控（如自旋轨道矩）及功能拓展（如存算一体）。

Nat. Commun. 9, 2569 (2018)

Nano Lett. 18, 4669 (2018)

AIP Adv. 11, 015045 (2021)

3. 异质结构磁性薄膜的界面相关输运性能及其调控。

Appl. Surf. Sci. 396, 705 (2017)

Appl. Surf. Sci. 387, 375 (2016)

Appl. Surf. Sci. 353, 489 (2015)

欢迎对超导自旋电子学，极低功耗自旋存储器件，精细材料生长及微纳加工感兴趣的同学随时与我联系！

• [1]. 2013.3 -- 2017.6

  中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室       物理学       博士研究生毕业      联合培养

• [2]. 2011.9 -- 2017.6

  北京科技大学       材料科学与工程       博士研究生毕业       工学博士学位      硕博连读

• [3]. 2007.9 -- 2011.6

  北京科技大学       材料科学与工程       大学本科毕业       工学学士学位

• [1]. 2021.11 -- 至今

  北京航空航天大学      集成电路科学与工程学院      副教授

• [2]. 2018.11 -- 2021.10

  英国剑桥大学      材料科学系器件材料研究组      高级博士后

• [3]. 2017.10 -- 2018.10

  新加坡国立大学      电子工程系自旋与能源实验室      博士后