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致各位有志于集成电路领域的准研究生：
热忱欢迎访问翼动芯生课题组！当前，人工智能的飞速发展正深刻改变着我们的世界，而其核心驱动力之一便是高性能、低功耗的AI芯片。我的主要研究方向聚焦于数字集成电路设计，更具体而言，是面向AI应用的数字集成电路设计。我们课题组围绕基于存算一体架构的AI芯片设计这一核心方向展开深入探索。
核心理念：存算一体是一种颠覆传统冯诺依曼架构的新型计算范式——在存储器内部直接完成计算，极大减少数据搬运带来的功耗和时间开销，从根本上突破"存储墙"与"功耗墙"瓶颈。
战略意义：随着数据量爆炸和计算任务日益复杂，传统架构已逼近能效极限。存算一体是国家科技创新2030重点攻关领域，也是我们课题组的绝对核心主线。
课题组已完成多款存算一体芯片的自主研发，覆盖从端侧到云端的完整产品谱系：
AI计算芯片（CHIP ON WINGS 2021）：ARM M3级性能，动态功耗降低46%，待机功耗降低5倍，支持定制化扩展指令
SRAM模拟存算一体芯片：55nm工艺，能效44 TOPS/W，吞吐量273 GOPS，面向端侧部署
数字存算一体芯片：55nm工艺，能效12 TOPS/W，吞吐量81 GOPS，低功耗快速读写，与RISC-V紧耦合
STT-MRAM存算一体：能效1.8 TOPS/W，第二代自旋模拟存算，实现简单应用
SOT-MRAM存算一体：功耗5mW，第三代自旋模拟存算，进一步降低功耗
高能效数字/高吞吐模拟存算芯片：40nm SRAM工艺，数字部分能效1800 TOPS/W，模拟部分1180.4 GOPS，压缩时序高吞吐
IEDM 2026：首次实现RISC-V控制、四裸片3D堆叠、8Mb SOT-MRAM存内计算系统，60fps@98%精度实时边缘推理
ESSERC 2025：PADCIM芯片，能效1966.9 TOPS/W（40nm）
ICCAD 2025：高精确低近似可重构CIM宏，能效3048 TOPS/W
ASSCC 2026：DVS-RGB追踪芯片（1583fps）、事件相机FPGA加速器（1055fps）
近5年完成15款芯片流片，覆盖STT-MRAM、SOT-MRAM、SRAM多种存储介质
累计15+款数字芯片流片经验，研究生人均参与流片。组内研究生多人获国家奖学金，课题经费充足，科研氛围务实高效。
对集成电路充满好奇？想把课堂知识变成真正的"芯"实力？
翼动芯生课题组面向对集成电路设计和AI芯片感兴趣的本科生敞开大门！无论你是否有基础，这里有完善的新人培训体系，研究生学长学姐手把手带你从零起步。
最亮眼的成果，是你们的前辈在竞赛场上的硬核战绩：
中国国际大学生创新大赛（2023）全国金奖
集创赛第九届：全国一等奖1项（队长孔鹤霖受邀在颁奖典礼发表感言）、奕斯伟杯全国二等奖
集创赛第十届：芯片应用成果命题全国一等奖、华强昇腾杯全国三等奖
冯如杯主赛道：一等奖 1项、二等奖 2项、三等奖 6项
集成电路专项赛：三等奖 2项
创士杯：一等奖 1项
北京市大学生创新创业大赛：一等奖 1项
"青创北京" ：一等奖 1项、三等奖 1项
此外，组内本科生魏知行、陈镇城连续两年获批北航本科生启研计划，是学校层面对本科生科研能力的权威认可。
你能获得什么？
前沿科研参与：从大二、大三即可进入实验室，参与真实的AI芯片研发项目
竞赛实战指导：经验丰富的导师团队带你冲击集创赛、冯如杯等高水平竞赛
直博/保研绿色通道：表现优秀的本科生优先获得课题组保研名额
全流程能力培养：电路设计→流片→测试，真正掌握芯片设计全链路
联系方式：ydxs618@163.com
感兴趣的同学欢迎发送简历至上述邮箱，邮件标题注明"本科生申请+姓名+学校+年级"。
也可直接填写申请表单：https://halo.ydxs.xyz:11301/archives/1788852079471
协同指导3名博士/硕士研究生获国家奖学金
指导本科生获中国国际大学生创新大赛（2023）全国金奖
指导本科生获北航冯如杯一等奖、北京市一等奖
入选北航卓越百人博士后（2017） 、北航青年拔尖人才支持计划（2022）
国家科学技术学术著作出版基金（国家级，排名第2）
吴文俊AI科技进步二等奖
Applied Science客座编辑，ICCS等国际会议组委会成员
（1）基于自旋电子器件的存算一体电路研究
针对当前基于自旋电子器件的存算一体技术中所存在的器件集成度低、尚未构建完备的逻辑计算功能集等问题，开展基于自旋电子器件的存算一体电路研究。从器件制备、电路设计、计算架构三个层面共同构建高效的自旋存算一体技术方案。研究成果连续发表在IEEE TCAS-I、TCAS-II、Nature Electronics、Advanced Science等顶级期刊与会议。
（2）高能效数字存算一体芯片研究
面向端侧和边缘推理场景，研制高能效数字存算一体芯片。提出近似计算、动态逻辑、混合精度量化、可重构架构等多项前沿技术，40nm芯片能效达1966.9 TOPS/W，55nm芯片能效达12 TOPS/W。相关成果发表在ESSERC 2025、ICCAD 2025等国际顶级会议。
（3）SOT-MRAM 3D堆叠存内计算系统研究
联合北京微电子技术研究所、Truth Memory Corporation，研制国际上首个RISC-V控制、四裸片3D堆叠、8Mb SOT-MRAM存内计算系统。突破存算一体架构与新型存储器件的协同设计难题，为太空算力等极端场景提供高能效解决方案。相关成果被IEDM 2026录用。
国家重点研发计划子课题（在研）
国家自然科学基金面上项目（在研）
国家自然科学基金青年项目（已结题）
北京市自然科学基金面上项目（在研）
北航青年拔尖人才计划（在研）
中国博士后基金——面上基金（已结题）
IEDM 2026 — First RISC-V-Controlled Four-Die 3D-Stacked 8-Mb SOT-MRAM Compute-in-Memory System for Real-Time Edge Intelligence
ASSCC 2026 — A 1583fps Cross-Modal-Redundancy-Exploiting DVS-RGB Tracking Processor with Look-Up-Only-Once Sparse Engine and Size-Aware Computation Gating
ASSCC 2026 — FECA: A 1055-fps End-to-End Frequency-Domain Event Cloud FPGA Accelerator with O(N) Spatial Hashing and Hadamard-Fused Reconfigurable FFT
ICCAD 2025 — A 3048-TOPS/W High-Precision Low-Approximate Reconfigurable CIM Macro
ESSERC 2025 — PADCIM: A 1966.9-TOPS/W 2.09%-RMSE Probabilistic Approximate Dynamic-Logic Based Digital Computing-In-Memory Macro in 40nm
Advanced Science 2024 — DS-CIM: A 40nm Asynchronous Dual-Spike Driven, MRAM Compute-In-Memory Macro for Spiking Neural Network
IEEE TCAS-I 2024 — RDCIM: RISC-V Supported Full-Digital Computing-in-Memory Processor with High Power Efficiency and Low Area Overhead
IEEE TCAS-II 2022 — A Mini Tutorial of Processing in Memory: From Principles, Devices to Prototypes
IEEE TETC 2022 — A Survey of MRAM-Centric Computing: From Near Memory to In Memory
类脑计算芯片和数据处理终端，CN202211202953.7
基于斯格明子的随机数据流计算系统和计算控制方法，CN202010200108.0
神经网络模型自动适配方法和装置，CN202110399619.4
通用型AI并行推理加速结构以及推理设备，CN202110399639.1
基于自旋磁存储器的数据运算方法，CN201910081772.5
自旋存算一体芯片，CN201811635918.8
2015.07–2017.08：武汉华星光电技术有限公司，主任工程师
2017.09–2020.09：北京航空航天大学，卓百博士后
2020.10–2023.06：北京航空航天大学，助理教授
2023.06–至今：北京航空航天大学，副教授（教研岗），博导
最后更新：2026年9月
