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的个人主页 http://shi.buaa.edu.cn/luhaichang/zh_CN/index.htm
卢海昌，北航集成电路科学与工程学院副教授，北航青年拔尖人才，国家自然科学基金、北京市自然科学基金、国家重点研发基金获得者。
2014年本科毕业于北京大学信息科学技术学院电子系， 导师为北京大学物理学院凝聚态所田光善教授（著名理论物理教育家，B站《量子力学》百万播放量）
2018年博士毕业于剑桥大学电子工程系，导师为英国著名皇家科学院与工程院两院院士John Robertson教授 （集成电路的器件单元：场效应管中High K材料的提出者， IEEE Cledo Brunetti prize获得者，全球材料学领域科学家排名第66名）
2018年至2020年担任剑桥大学电子工程系博士后，同时担任任剑桥大学St. Edmund's college PDRA
致力于利用第一性原理模拟二维材料、磁性材料、自旋电子器件、相变材料等。以第一作者、通讯身份发表学术论文三十余篇。
Selected Publications：（+为共同第一作者，*为通讯作者）
1. K Li, Y Guo, J Robertson, W Zhao, H Lu* (2025). Insights into the Co/MoS2/Co magnetic tunnel junctions. Appl. Phys. Rev., 12, 031417(2025). (2023). Featured Article!!
2. J Chao, B Deng, ..., B Fu*, H Lu*, W Zhou* (2025). Bimetallic PtNi Octahedral Alloy Nanoparticles as Broadband Nonlinear Optical Modulators for Ultrafast Photonics. Adv. Opt. Mater., e02331(2025).
3. L Yang, X Zhang, H Wang, ..., H Lu*, H Yu*, W Wang*, N Lei* (2025). Large interfacial Dzyaloshinskii–Moriya interaction of epitaxial perovskite La0.7Sr0.3MnO3 films. Appl. Phys. Rev., 12, 031424(2025).
4. H Yu, W Zhao, H Lu* (2025). Heisenberg exchanges in tetragonal-like BiFeO3 from first principles. J. Appl. Phys., 137, 193901(2025).
5. K Li, Y Guo, J Robertson, W Zhao, H Lu* (2024). (Front Cover)Designing van der Waals magnetic tunnel junctions with high tunnel magnetoresistance via Brillouin zone filtering. Nanoscale, 16, 19228(2024).
6. H Wang+, H Lu+*, Z Guo et. al. Interfacial engineering of ferromagnetism in wafer-scale van derWaals Fe4GeTe2 far above room temperature. Nat. Commun. 14, 2483 (2023). ESI高被引论文
7. H Lu, J Robertson* and H Naganuma, Comparison of Hexagonal Boron Nitride and MgO Tunnel Barriers in Fe, Co Magnetic Tunnel Junctions. Appl. Phys. Rev. 8, 031307 (2021). Editor's pick!!
8. H Lu, Y Guo and J Robertson*, Ab-initio study of Hexagonal Boron Nitride as the Tunnel Barrier in Magnetic Tunnel Junctions. ACS Appl. Mater. & Interfaces 13, 47226 (2021).
9. H Lu, Y Guo, J W Martin, M Kraft and J Robertson*, Atomic structure and Electronic structure of disordered Graphitic Carbon Nitride. Carbon, 147, 483-489 (2019).
10. H Lu, Y Guo and J Robertson*, Electronic Structures of metallic and insulating phases of Vanadium Oxide and its Oxide Alloying. Phys. Rev. Mat. 3, 094603 (2019).
11. H Lu, A Kummel and J Robertson*, Passivating the sulfur vacancy in monolayer MoS2. APL Materials, 6, 066104 (2018). Editorial Suggestion
欢迎各位热爱物理学研究的同学报考本课题组、也欢迎对本人科研感兴趣的本科生进组学习!
联系方式：HaichangLu@buaa.edu.cn，第一馆206
注意：本课题组的研究方向偏向计算物理，是计算与物理的交叉学科，在集成电路科学中侧重器件的材料学研究而不是芯片设计。本课题组培养模式以科学研究、思维训练为主，不侧重就业导向。
第一原理计算：从最本质的物理理论出发，模拟物质的行为
H|ψ> =E|ψ>
符合以下条件的同学优先录取：
1 有志于未来从事计算物理方向的科研工作（读博及以上）；有意长期在本课题组从事第一性原理研究（在本组读博）。
2 自我驱动、对自己的科研和事业负责，靠谱。
3 具有物理学背景，掌握量子力学、固体物理、统计力学相关知识；或者有对物理学有强烈热爱，愿意花时间学习。
4 具有物理、微电子、材料、化学等相关专业本科学位。
5 具有编程能力，操作系统知识，熟练使用linux系统，有超算上机经历。
6 有较强英文水平，有国外交换、暑期实习经历。
7 工作认真负责，有创新意识，乐于指导他人、团队协作。
8 情绪稳定、乐观、具有幽默感。
本人与剑桥大学工程系John Robertson院士、杜伦大学物理系Stewart Clark教授（第一性原理代码CASTEP的开发者）、德国于利希研究中心Stefan Bluegel教授（FLEUR开发者）进行长期、紧密合作
1 脑力劳动不在人多工作量大，在于科研思想的启蒙和科研能力的训练。本人对每一个进组的学生悉心指导、关爱、共同进步。
2 理论计算的前期需要投入，过了门槛之后会柳暗花明！本人相信每一个学生都是独特的个体，本人与组员会在前期帮助你快速度过新手期，让你的独特之处有用武之地！
3 入门以后具有相对的自由支配时间，以及充足经费支持。
4 参加国际学术会议，感受前沿视野，与导师一起游玩感受不同文化。
5 优秀者有机会推荐到剑桥大学等国际知名大学交换以及继续深造。
剑桥大学 电子科学与技术 博士研究生毕业 哲学博士学位
北京大学 电子科学与技术 大学本科毕业 理学学士学位
剑桥大学 Centre for Advanced Photonics and Electronics Research Associate
ACS Nano, Microelectronic Engineering审稿人
《Frontiers in Electronics》 special guest editor
