雷娜，女，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院教授，博士生导师。

2008年博士毕业于复旦大学物理系，而后于法国南巴黎大学（现法国巴黎萨克雷大学）、复旦大学从事博士后研究，2014年入职北京航空航天大学。

雷娜博士长期从事拓扑磁性材料、自旋存储器件与自旋类脑器件等相关方向研究，迄今发表SCI论文50余篇，包括Nature Comm., PRL, PRB, PRApplied, APL等，其中ESI高被引论文5篇；授权国家专利4项，已转化1项。

主持国家自然基金委重点（中德）国际合作项目1项，面上项目2项，参与基金委重大仪器研发项目2项等。

受邀担任Nanotechnology，《中国材料进展》客座编辑；担任Nat. Commun., ACS Appl. Mater. Interfaces, APL, JMMM等期刊审稿人。

讲授本科课程《工科基础物理》、《科研课堂》、《自旋电子概论》等，研究生课程《磁学理论》、《铁磁性物理》、《自旋电子学前沿进展》等。

课题组围绕电场控制磁矩翻转以及拓扑磁性材料等开展研究，致力于超低功耗自旋电子器件及新型类脑器件的研发，5篇代表性论文如下：

1. Y. Sun, T. Lin, N. Lei*, X. Chen, W. Kang, Z. Zhao, D. Wei, C. Chen, S. Pang, L. Hu, L. Yang, E. Dong, L. Zhao, L. Liu, Z. Yuan, A. Ullrich, C. H. Back, J. Zhang, D. Pan, J. Zhao, M. Feng*, A. Fert and W. Zhao, Nature Commun. 14, 3434 (2023). 

2. Z. Zhao, D. Su, T. Lin, Z. Xie, D. Zhao, J. Zhao, N. Lei* and D. Wei*, Phys. Rev. Appl. 19, 044037 (2023). 

3. T. Lin, X. Zhang, N. Vernier, X. Wang, E. Dong, C. Chen, J. Niu, Y. Sun, L. Yang, W. Zheng, D. Su, N. Lei* and W. Zhao, Phys. Rev. B 106, 184407 (2022).

4. Y. Liu, N. Lei*, C. Wang, X. C. Zhang, W. Kang, D. Q. Zhu, Y. Zhou, X. X. Liu, Y. Zhang, W. Zhao*, Phys. Rev. Appl. 1, 111 (2019). Editors' Suggestion

5.  N. Lei*, T. Devolder, G. Agnus, P. Aubert, L. Daniel, J-V. Kim, W. Zhao, T. Trypiniotis, R.P. Cowburn, C. Chappert, D. Ravelosona and P. Lecoeur, Nature Commun. 4, 1378 (2013). ESI高引